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　　近日，中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所張德清課題組在前期工作基礎(chǔ)上，發(fā)展了兼具可圖案化與可修復(fù)兩種功能的有機(jī)高分子半導(dǎo)體。該策略利用硫辛酸基團(tuán)的動(dòng)態(tài)共價(jià)二硫鍵，實(shí)現(xiàn)將光圖案化和熱修復(fù)功能成功集成到一種基于吡咯并吡咯二酮的聚合物半導(dǎo)體中。

　　研究結(jié)果表明，側(cè)鏈中硫辛酸的引入比例對(duì)有機(jī)高分子半導(dǎo)體的遷移率有顯著影響。當(dāng)含有硫辛酸基團(tuán)的側(cè)鏈與純烷基鏈的重復(fù)單元的摩爾比大于1:4時(shí)，其遷移率低于不含硫辛酸側(cè)鏈的聚合物PDPP4T（聚吡咯并吡咯二酮-四噻吩）。因此，研究選用含有硫辛酸基團(tuán)的側(cè)鏈與純烷基鏈的重復(fù)單元的摩爾比為1:4的聚合物P3，進(jìn)行圖案化和修復(fù)性能測(cè)試。實(shí)驗(yàn)表明，P3薄膜在365 nm紫外光照射下展現(xiàn)出優(yōu)異的光圖案化能力，其靈敏度和對(duì)比度分別達(dá)到210 mJ/cm2和1.2。值得注意的是，圖案化過(guò)程對(duì)薄膜的形態(tài)、分子鏈堆積及電荷傳輸遷移率幾乎沒有影響。此外，劃傷的圖案化薄膜在暴露于氯仿蒸氣并進(jìn)行后續(xù)熱退火后能夠完全自愈，并且遷移率得以恢復(fù)。相比之下，側(cè)鏈中不含硫辛酸基團(tuán)的PDPP4T薄膜在相同條件下，僅恢復(fù)了82.6%的裂痕深度和54.5%的遷移率。

　　相關(guān)研究成果發(fā)表在《德國(guó)應(yīng)用化學(xué)》上。研究工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中國(guó)科學(xué)院的支持。

（a）側(cè)鏈帶有硫辛酸基團(tuán)的聚合物半導(dǎo)體（P1-P5）的結(jié)構(gòu)式及硫辛酸基團(tuán)的開環(huán)聚合反應(yīng)示意圖。（b）通過(guò)二硫鍵動(dòng)態(tài)可逆的斷裂和形成實(shí)現(xiàn)交聯(lián)、圖案化和修復(fù)過(guò)程的示意圖。