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 近日，華東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院吳唯教授課題組通過金屬與陶瓷顆粒的設(shè)計(jì)、合成與組裝，成功制備了新型雜化導(dǎo)熱填料。這類填料在聚合物中構(gòu)建導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)的能力大幅提升，能夠提高聚合物材料的導(dǎo)熱性能，具有重要價(jià)值。

　　吳唯教授課題組通過Cu2+的原位還原，實(shí)現(xiàn)了在二維氮化硼(BN)片層對(duì)零維納米Cu球的負(fù)載，制備出全新的BN@Cu雜化填料。這種BN@Cu雜化填料特殊的結(jié)構(gòu)特征，一方面提高了填料表面粗糙度，更易形成穩(wěn)定的導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò);另一方面增大了填料與基體間接觸面積，為熱量傳導(dǎo)提供了更通暢的通道。二者共同作用的結(jié)果提高了聚合物的熱導(dǎo)率。對(duì)不同負(fù)載量下雜化填料對(duì)聚合物導(dǎo)熱性能的研究，課題組獲得了對(duì)構(gòu)建導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)最為有效的填料結(jié)構(gòu)，將聚合物導(dǎo)熱系數(shù)提高了500%。

　　隨著5G時(shí)代的來臨，萬物互聯(lián)已成為趨勢(shì)，其中高集成度的微型芯片是實(shí)現(xiàn)這一變遷的重要基礎(chǔ)。但是，用于芯片封裝的聚合物材料導(dǎo)熱性能不佳，嚴(yán)重制約著集成化芯片的發(fā)展。隨著芯片尺寸的減小，其能量密度呈指數(shù)化升高，所產(chǎn)生的熱量在內(nèi)部積聚，使得散熱成為一大問題。通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，制備具有特殊結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱填料對(duì)聚合物進(jìn)行填充是提高其導(dǎo)熱性能的有效方法。