據悉,日前,中國科學院電工研究所王秋良團隊成功研制出中心磁場高達32.35特斯拉(T)的全超導磁體。該磁體采用了自主研發的高溫內插磁體技術,打破了2017年12月由美國國家強磁場實驗室創造的32.0特斯拉超導磁體的世界紀錄,標志著我國高場內插磁體技術已經達到世界領先水平。
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