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據悉， 近日，南京工業大學王琳教授課題組采用簡單快速高效的合成方法，成功制備出超薄的高質量二維碘化鉛(PbI2)晶體，并且通過它實現了對二維過渡金屬硫化物材料光學性質的調控。相關成果發表在國際權威期刊《先進材料》上。

　　“我們制備的這一超薄PbI2納米片，專業術語稱為‘原子級厚度的寬禁帶二維PbI2晶體’，是一種超薄的半導體材料，厚度只有幾個納米。我們采用溶液法合成工藝，這種方法對設備要求很低，具有簡單、快速、高效的優點，能夠滿足大面積和高產量的材料制備需求。”論文第一作者、南工大博士生孫研說，“之后，我們把這一超薄的PbI2納米片與二維過渡金屬硫化物(TMDs)結合，進行人工設計，把它們堆疊到一起，制備出不同類型的PbI2/TMDs異質結。因為能級排列方式不一樣，因此PbI2對不同TMDs材料的光學表現有不同影響。”

　　這一工作成果實現了超薄PbI2對二維過渡金屬硫化物材料光學性質的調控，充分展現了其在二維材料能帶工程中的靈活性和多樣性。與傳統以硅基材料為主體的光電子器件相比，這一新方法由于所采用的材料具有柔性、微納尺寸特點，因此可以應用在制備柔性化、可集成的光電子器件方面，也為制造太陽能電池、光電探測器等提供了新思路。