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浮柵晶體管作為一種電荷存儲器，是當前大容量固態存儲器發展的核心元器件。然而，當前商業閃存內硅基浮柵存儲器件所需的擦寫時間在10微秒至1毫秒范圍內，遠低于計算單元CPU納秒級的數據處理速度，且其循環耐久性約為10萬次，難以滿足頻繁的數據交互。隨著計算機數據吞吐量的爆發式增長，發展一種可兼顧高速、高循環耐久性的存儲技術勢在必行。

二維材料具有原子級厚度和無懸掛鍵表面，在器件集成時可有效避免窄溝道效應和界面態釘扎等問題，是實現高密度集成、高性能閃存器件的理想材料。然而，在此前的研究中，其數據擦寫速度多異常緩慢，鮮有器件可同時實現高速和高循環耐久性。

面對這一挑戰，翟天佑團隊研制了一種具有邊緣接觸特征的新型二維浮柵晶體管器件，通過對傳統金屬-半導體接觸區域內二硫化鉬進行相轉變，使其由半導體相向金屬相轉變，使器件內金屬-半導體接觸類型由傳統的3D/2D面接觸過渡為具有原子級銳利界面的2D/2D型邊緣接觸，實現了擦寫速度在10納秒至100納秒、循環耐久性超過300萬次的高性能。

“通過對比傳統面接觸電極與新型邊緣接觸，該研究說明了優化制備二維浮柵存儲器件內金屬-半導體接觸界面對改善其擦寫速度、循環壽命等關鍵性能有重要作用。”翟天佑說。

該研究為發展高性能、高密度大容量存儲器件提供了新思路。（侯文坤）