久久精品免费观看_欧美日韩精品电影_91看片一区_日日夜夜天天综合

 二維納米材料制備技術的快速發(fā)展為高性能電子器件的設計與應用提供了重要基礎。由于電子器件需要在介電層上進行組裝與集成，因此，研究有機分子的自組裝行為，在絕緣襯底表面上直接構(gòu)筑均勻的二維納米材料對于研究材料的基本物理性質(zhì)、開發(fā)規(guī)模化應用具有重要意義。 

在國家自然科學基金委和中國科學院戰(zhàn)略性先導科技專項（B類）的支持下，化學所有機固體實驗室的科研人員在金屬有機框架 (MOF) 材料的可控組裝與規(guī)模化制備方面開展了系列研究。 他們以六羥基苯并菲(HHTP)為有機配體，通過化學氣相沉積技術研究了水-氧氣氛對晶體生長的影響，制備了高質(zhì)量的Cu3(HHTP)2MOF材料 (Mater. Chem. Front. 2020, 4, 243)；利用電化學技術，以六羥基苯并菲、苯-1,3,5-三基三硼酸(BTPA)、2,4,6-三羥基-1,3,5-苯三甲醛(TBTC)等為有機配體，通過施加外電壓使其向陽極遷移并與解離出的銅離子在陽極表面發(fā)生配位反應，制備了均勻的二維Cu3(HHTP)2、Cu3(BTPA)2、Cu3(TBTC)2等MOF薄膜，并將它們轉(zhuǎn)移到硅片襯底上，組裝了電子器件(Angew. Chem. Int. Ed. 2021, 60, 2887)。 

 (a) 二維Cu2(TCPP) MOFs的結(jié)構(gòu)示意圖；(b) XRD；(c) HRAFM圖像；(d) (100)面的Cryo-TEM圖像；(e) (001)面的Cryo-TEM圖像。 

最近，該研究團隊從毛細現(xiàn)象中獲得靈感，提出了制備二維MOF薄膜的限域生長策略。該方法利用毛細力將制備二維MOF薄膜的銅離子和5,10,15,20-四(4-羧基苯基)卟啉(TCPP)交替引入到由兩片絕緣襯底組成的狹縫內(nèi)，在限定的區(qū)域內(nèi)發(fā)生配位反應，從而在石英、藍寶石、硅片等絕緣襯底表面上直接生長出大面積的二維Cu2(TCPP) MOF薄膜。該方法不需要襯底轉(zhuǎn)移，與目前的硅加工工藝相兼容。通過XRD、HRAFM和Cryo-TEM等儀器測試表明，該方法制備的MOF薄膜具有高的晶體質(zhì)量, 其薄膜電導率為0.007 S cm-1，相比其它羧酸基MOF材料（10–6 S cm–1）提高了3個數(shù)量級。同時，該策略也適用于制備Cu3(HHTP)2, Co3(HHTP)2 和 Ni3(HHTP)2 等二維MOF材料，具有普適性。該成果發(fā)表在 Advanced Materials期刊上 (Adv. Mater. 2021, 33, 2007741)，并被選為前封面。論文第一作者為博士生劉友星，通訊作者為陳建毅研究員和劉云圻院士。