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韓國開發硅低成本合成技術
文章來源:未知     更新時間:2018-08-21 13:46:25

 近日,韓國蔚山科技大學(UNIST)能源技化工部的郭常圭(音譯)教授,浦項工科大學(POSTECH)化學科的樸秀進(音譯)教授,以及美國太平洋西北國家實驗室(Pacific Northwest National Laboratory,PNNL)共同合作,成功開發了硅的低溫合成技術,并借助原子單位的模擬闡明了合成原理。此次研究成果刊登于全球知名期刊《Communications Chemistry》的最新一期。

據悉,目前,鋰離子電池上的陰極材料主要采用的是石墨,但是電動汽車等大容量電池的需求持續增長,迫切需要容量更大替代材料,硅因而也備受關注,這是因為硅的容量比石墨大10倍以上。

目前硅的合成方法有很多種,但最為常用的名為“利用金屬還原二氧化硅”,但這一方法需要數百度以上的高溫,也很難大批量生產硅。

此次研究團隊采用了名為“金屬鹵化物催化劑”,將硅與金屬發生化學反應,即便在較低的溫度下也可以生成硅。通過原子模擬,解釋低溫合成工藝的機理。金屬鹵化物催化劑可以加快金屬和二氧化碳的反應,降低反應能,由此輕易合成硅。

金屬鹵化物的熔點低,可以從二氧化硅脫去氧,起到了降低還原反應溫度的作用,通過直接參與還原反應,由此加快了硅的生成速率。從原子單位的機理來看,事實上,硅在較低的反應溫度下就可以生成,這將有助于硅陰極材料的大批量生產。

研究團隊將低溫合成法制備的硅用作電池的陰極材料,進行充電和放電試驗,反復進行數百次以上,電化學性能依舊非常穩定。

通過原位透射電鏡實時觀察發現,低溫合成的硅具有結構穩定性,尤為適用作第二代陰極材料。通過闡明金屬鹵化物合成法的機理,將為低溫合成硅提供充足的理論依據。金屬鹵化物不僅可以促進金屬熔化,而且對硅的構造也有極大的作用,今后還有望應用于其他金屬氧化物的還原反應。

另外,此次研究得到了UNIST未來先導型項目和超級計算機,以及LG化學公司的大力支持。

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