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 近日，香山科學會議第626次學術(shù)討論會在上海舉行，會議聚焦了高端硅基材料及器件關(guān)鍵技術(shù)問題。與會專家認為，硅基材料及器件的創(chuàng)新將決定未來集成電路及相關(guān)信息技術(shù)的發(fā)展。

著名的“摩爾定律”提出，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，每隔約18至24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。當前，在摩爾定律引領(lǐng)下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限，“后摩爾時代”已經(jīng)來臨。集成電路縮小至納米尺度后泄漏電流導致的功耗問題，成為當前微電子領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵科學問題。

“高端硅基材料是集成電路發(fā)展的基石。”會議執(zhí)行主席之一、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、中科院院士王曦在會議報告中表示。絕緣體上的硅是應(yīng)用前景廣泛的高端硅基襯底材料， 憑借其獨特的結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)器件全介質(zhì)隔離、抗輻射、高速、低功耗等。

當前，“后摩爾時代”以“感知”為特征，微電子發(fā)展更強調(diào)將具有不同功能的非數(shù)字器件，包括功率器件、射頻器件等互相組合與互補金屬氧化物半導體電路集成。對此，與會專家認為，發(fā)展硅基異質(zhì)集成材料技術(shù)應(yīng)得到格外重視，這一技術(shù)將為突破摩爾定律極限新路徑、發(fā)展單芯片多樣化功能集成，突破寬帶光信息傳輸、交換與處理集成芯片關(guān)鍵技術(shù)提供材料支撐。

同時，面對“后摩爾時代”集成電路的功耗瓶頸問題，應(yīng)當加大基礎(chǔ)研究投入，提前布局新結(jié)構(gòu)新原理器件，面向下一代計算架構(gòu)的新器件技術(shù)，實現(xiàn)材料—器件—電路—系統(tǒng)—算法的協(xié)同設(shè)計，滿足未來低功耗、智能、安全器件／芯片的需求。