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據悉， 俄羅斯國家研究型核大學國立核能研究大學莫斯科工程物理學院（MEPhI）的學者與俄羅斯科學院西伯利亞分院金屬物理研究所的專家合作，研發出一種能夠提高高頻微型電路操作速率的納米結構。

　　該納米結構是一種由常用半導體組成的層狀材料。研究人員挑選了制造新型納米結構的適宜條件：過渡層結構、厚度和活躍層的成分，因此，結構質量非常高。在提高材料“活躍”導電層中銦含量的情況下，有助于降低結構中的電子質量，提高它們的速度，因此電子儀器的運行也能加快。

　　不過，鄰層晶格的機械壓力將因此增強。物理學家們在逐漸增加活躍層中銦含量的同時，也增加了厚實的過渡層，由此解決了上述問題。