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不過，氧化鎵具有高熔點、高溫分解、易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶的制備極為困難。

這一成果突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。